基本信息

姓名：狄增峰

性别：男

出生年月：1979年4月

籍贯：江苏海安

学历：中国科学院上海微系统与信息技术研究所微电子与固体电子学博士

职称：研究员、博士生导师

人物生平

1997年9月-2001年6月，南京大学基础学科教学强化部（现匡亚明学院），获学士学位

2001年9月-2006年6月，中国科学院上海微系统与信息技术研究所微电子与固体电子学专业，获博士学位（2004年3月至2005年9月在香港城市大学物理与材料科学系进行联合培养）

2006年9月-2010年8月，美国能源部Los Alamos国家实验室，博士后

2010年9月至今，中国科学院上海微系统与信息技术研究所，研究员

2010年12月入选中国科学院"百人计划"

现任中国科学院上海微系统与信息技术研究所副所长

科研成就

致力于SOI材料、器件与电路研究，发展超薄SOI材料制造新方法，在国内研制出第一批8英寸应变SOI晶圆片，探索二维SOI材料，国际上首次在半导体锗衬底上实现大面积石墨烯生长，研制成功二维sGrOI晶圆和二维集成电路芯片。针对集成电路特征尺寸不断缩小至14nm及以下，在高端SOI晶圆方面取得多项重要原创性研究成果和自主知识产权的国际国内发明专利。参与建设了我国大硅片产业基地—新昇半导体和我国唯一的SOI产业基地—新傲科技

学术成果

以通讯/第一作者身份在Nature、Nature Electronics、Science Advances、Nature Communications等国际期刊发表论文90余篇。授权国际发明专利6件，授权国内发明专利100余件

荣誉表彰

2006年获得中国科学院院长奖（特别奖）；2007年获得中国科学院优秀博士学位论文奖；2008年获得全国百篇优秀博士学位论文奖；2011年入选上海市"浦江人才计划"；2015年入选国家"万人计划"青年拔尖人才；2018年享受国务院政府特殊津贴；2019年入选国家"万人计划"科技创新领军人才；2020年获得第十六届中国青年科技奖；获上海市自然科学一等奖、上海市青年科技杰出贡献奖