人物简介
郑兆荪（Dawon Kahng），1931年生于韩国，韩国裔美国物理学家，MOSFET共同发明人。
主要成就
共同发明MOSFET；2. 现代数字电路奠基者
详细介绍
郑兆荪1955年赴美国俄亥俄州立大学深造。1959年与阿塔拉在贝尔实验室共同发明MOSFET，为现代微处理器、存储器和几乎所有数字芯片奠定了基础。
基本信息
所属机构
贝尔实验室
职务
MOSFET共同发明人
学历背景
首尔国立大学、俄亥俄州立大学
出生日期
1931年
国籍
美国
研究领域
MOS半导体
学科数据洞察
108+
同领域专家
82岁
领域平均年龄
4+
获奖人数
*以上数据由科技人编辑部基于公开数据库统计，旨在为研究者提供学科视角的参考信息。
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