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施敏
施敏 Simon Sze
中国台湾工程师,浮栅MOS发明人
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对比

人物简介

施敏(Simon Sze),1936年生于中国南京,中国台湾工程师,浮栅MOS非挥发性存储器发明人,被誉为"闪存之父"。

主要成就

发明浮栅MOS存储器;2. 奠定闪存技术基础

详细介绍

施敏1967年在贝尔实验室工作期间与同事共同发明了浮栅MOS(Floating Gate MOS),这是NAND Flash、NOR Flash等非挥发性存储器的核心技术。1998年当选台湾"中央研究院"院士。

基本信息

所属机构
台湾交通大学
职务
教授
学历背景
台湾大学、华盛顿大学、斯坦福大学
出生日期
1936年
国籍
中国
研究领域
非挥发性存储器

荣誉称号

中国台湾"中央研究院"院士美国国家工程院外籍院士IEEE电子器件协会终身成就奖

知识图谱

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