让·霍尔尼1924年出生于瑞士日内瓦，在日内瓦大学获得物理学学位后，凭借奖学金前往剑桥大学卡文迪什实验室深造，于1950年获得博士学位。1952年移居美国，先后在普林斯顿高等研究院和加州理工学院从事博士后研究。1956年加入肖克利半导体实验室，与诺伊斯、摩尔等人共事。1957年，因不满肖克利的管理方式，霍尔尼与其他七人集体离开，创立了仙童半导体。1958年，霍尔尼发明了革命性的"平面工艺"：通过在硅表面生长二氧化硅保护层，利用光刻和扩散技术制造结型晶体管。该工艺不仅大幅提升了晶体管的可靠性和一致性，更为罗伯特·诺伊斯发明集成电路提供了关键工艺基础——正是在平面工艺上才能实现金属导线在氧化层上互连，从而将多个晶体管制作在同一块硅片上。平面工艺至今仍是所有硅基芯片制造的核心技术范式。霍尔尼后来创立了Teledyne、Intersil等多家半导体公司，拥有数十项专利。