罗伯特·登纳德1932年出生于美国得克萨斯州，在南方卫理公会大学获得电子工程学士和硕士学位，1958年于卡内基梅隆大学取得博士学位，随即加入IBM沃森研究中心，在此工作超过50年。1966年，登纳德在下班路上的一个傍晚，突发灵感构思了用单个晶体管加一个电容存储一位数据的DRAM结构。1968年，他获得了单晶体管DRAM的美国专利(US 3,387,286)。这一发明以极低的成本实现了大容量随机存取存储，成为现代计算机内存的标准技术，改变了整个计算机产业。1974年，登纳德发表了经典论文，提出了MOSFET等比例缩小定律：当晶体管尺寸按比例缩小k倍时，其工作电压也降低k倍，而电流密度保持不变，延迟时间缩短k倍，功耗密度保持恒定。这一"登纳德缩放"指导了半导体工艺节点从微米到纳米级的持续演进长达30余年，是摩尔定律得以实现的关键物理理论基础之一。登纳德在IBM生涯中获得超过100项专利，是IBM历史上最伟大的发明家之一。