赤崎勇1929年出生于日本鹿儿岛县，1952年毕业于京都大学理学部，1964年在名古屋大学获得工学博士学位。他早年在神户工业公司(现富士通)从事半导体研究，后转入名古屋大学担任教授。从1970年代开始，赤崎勇带领团队选择了当时被国际学术界普遍认为"不可能实现"的氮化镓(GaN)作为蓝光LED材料进行研究。氮化镓的熔点高达2500℃，难以制备高质量单晶，且p型掺杂长期无法实现。经过20多年坚持不懈的努力，赤崎勇和学生天野浩在1986年成功利用低温缓冲层技术在蓝宝石衬底上生长出高质量GaN外延层，1989年又通过电子束照射成功实现了GaN的p型掺杂，终于在1992年研制出世界上第一个高亮度蓝光LED。这一成就直接催生了基于蓝光LED激发荧光粉的白光LED照明技术，引发了全球照明产业的革命，相比传统白炽灯节能达90%以上。蓝光LED也是蓝光光盘(Blu-ray)、全色LED显示屏等产品的核心技术基础。赤崎勇晚年在名城大学继续从事GaN半导体研究，培养了包括天野浩在内的大批杰出人才。