中村修二1954年出生于日本爱媛县，1979年从德岛大学电气工程专业毕业后进入一家名为日亚化学(Nichia Chemical)的小型化工企业工作。在资源极其有限、没有博士学位、没有顶尖团队的条件下，他凭借个人惊人的毅力和独创性，独立开发出了GaN基蓝光LED所需的关键技术——包括双气流MOCVD设备的改进、InGaN有源层的高质量生长、热退火p型掺杂技术等。1993年，中村修二在日亚化学成功研制出亮度达到1cd的高亮度蓝光LED，这是世界上第一只可用于商业用途的高亮度蓝光LED。此后他又先后开发出绿光LED、蓝紫光激光器等开创性产品。中村修二在GaN领域的突破性进展直接使得白光LED照明和蓝光光盘等产业得以实现，但他与日亚化学之间也因专利发明奖励问题展开了长达数年的著名诉讼，最终以和解告终。2000年，中村修二离开日本，加入美国加州大学圣巴巴拉分校担任教授，后加入美国国籍。他在UCSB继续从事GaN基光电器件和功率器件研究，创办了Soraa等LED照明公司，是LED照明革命最重要的推动者。