Mark Bohr1953年出生于美国，1976年在伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校获得电子工程学士学位，1978年获得硕士学位，毕业后即加入英特尔公司，在英特尔工艺研发部门连续工作超过40年。他是英特尔制程技术研发团队的核心人物之一，几乎参与了英特尔所有关键技术节点的开发。1980年代，他在CMOS工艺可靠性和互连技术方面做出了重要贡献。2007年，博尔在英特尔开发者论坛(IDF)上正式发布了45nm高K金属栅(HKMG)技术，这是自MOSFET发明40多年来晶体管栅极材料最重大的变革——用高K介电质取代二氧化硅、用金属栅取代多晶硅栅，解决了65nm以下栅极漏电流剧增的难题。这一技术突破让英特尔在45nm时代领先竞争对手台积电和三星达两年以上。2011年，他又领导英特尔在22nm节点率先量产三栅极(Tri-Gate)三维晶体管，即3D FinFET，这是从平面晶体管到三维晶体管的历史性跨越，让摩尔定律继续延伸。博尔不仅技术造诣深厚，还以在国际电子器件会议(IEDM)等顶级学术会议上清晰阐述英特尔技术路线图而闻名，是英特尔技术对外发声的"代言人"。他一生获得超过400项美国专利，对CMOS缩放技术做出了系统性贡献。2018年从英特尔退休后，他继续担任行业顾问。