Bernie Meyerson1954年出生于美国纽约，1976年在纽约城市学院获得物理学学士学位，随后进入IBM沃森研究中心工作，同时在纽约城市学院继续深造并获得博士学位。1980年代，硅锗(SiGe)材料因其优异的高频性能被业界公认为下一代射频芯片的理想材料，但高温外延生长会导致锗扩散和晶格弛豫，无法获得高质量的SiGe外延层。Meyerson在1980年代中期发明了超低温化学气相沉积(ULPCVD)工艺，可以在低于500℃的温度下生长出高质量、无缺陷的SiGe外延层，完美解决了SiGe器件制造的材料难题。这一突破使SiGe HBT(异质结双极晶体管)从实验室走向大规模量产，其高频性能媲美GaAs等化合物半导体，但成本与标准硅CMOS工艺兼容。SiGe技术被广泛应用于移动电话射频前端、GPS接收机、高速光通信、汽车雷达、模拟前端等领域，IBM SiGe BiCMOS工艺曾主导了全球手机射频芯片市场多年。Meyerson后来领导了IBM整个半导体研究部门，推动了SOI(绝缘体上硅)、应变硅、high-K金属栅等多项先进半导体技术的研发。他在IBM历任技术战略负责人、首席创新官等要职，是IBM全球技术战略的核心制定者之一。Meyerson也是美国半导体研究联盟(SRC)和全球半导体联盟(GSA)的重要领导者，对美国半导体技术路线图有重要影响力。