人物简介
吴德馨，1936年生，江苏苏州人，中国科学院院士。1961年清华大学半导体专业毕业，分配至中科院半导体所工作。曾任中科院半导体所研究员。吴德馨长期从事半导体器件与集成电路研究，在硅基MOSFET、SOI器件、新型半导体材料等领域做出重要贡献，主持研制了我国第一块大规模集成电路的关键器件，为我国半导体产业的发展做出了卓越贡献。
主要成就
参与中国第一代硅平面晶体管和TTL集成电路研制；领导4K/16K DRAM研发；开发N沟道硅栅MOS工艺；研制中国首批GaAs微波低噪声晶体管；推动1μm CMOS工艺线建设
详细介绍
人物简介
吴德馨，1936年12月25日生，北京人，中国科学院院士，半导体器件专家，中国科学院微电子研究所研究员。吴德馨是中国集成电路研究的开拓者之一，为中国半导体工业做出了重要贡献。
早年求学
吴德馨1956年考入复旦大学物理系，1960年毕业后到中国科学院半导体研究所工作。1982年赴美国麻省理工学院做访问学者。
学术成就
1. 系统研究了MOS器件的物理特性； 2. 推动了中国早期集成电路的研制； 3. 发展了SOI（绝缘体上硅）技术； 4. 培养了大批集成电路人才。
荣誉表彰
- 1991年当选中国科学院院士 - 国家自然科学奖二等奖 - 中国半导体行业协会名誉理事长
基本信息
所属机构
中国科学院微电子研究所
职务
研究员
学历背景
复旦大学物理系毕业
性别
女
出生日期
1936年12月25日
国籍
中国
研究领域
半导体器件、集成电路、SOI技术
学科数据洞察
1684+
同领域专家
49+
女性学者
88岁
领域平均年龄
794+
获奖人数
*以上数据由科技人编辑部基于公开数据库统计，旨在为研究者提供学科视角的参考信息。
荣誉称号
中国科学院院士(1991年当选)中国电子学会会士中国半导体产业开拓奖国家科技进步奖何梁何利基金科学与技术进步奖全国三八红旗手1991年当选中国科学院院士
知识图谱
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