高鼎三1914年出生于江苏宜兴，1940年毕业于西南联合大学物理系，1947-1950年在北京大学物理系任教并攻读研究生，1950年调任到大连工学院(现大连理工大学)。1952年参与创建了新中国第一个半导体物理学专业。1959年调到吉林大学，创建了吉林大学半导体物理与器件专业(后发展为电子科学与工程学院)，在东北开创了半导体教学和科研基地。高鼎三是中国最早开展半导体光电子研究的学者之一。1960年代初，他在国内率先研制成功GaAs(砷化镓)红外发光二极管和半导体激光器，几乎与国际前沿同步。他系统研究了GaAs材料的外延生长技术、p-n结的制作和激光器的谐振腔结构，1963年研制出中国第一批GaAs同质结半导体激光器，比美国仅晚一年。1970-80年代，他带领团队开展长波长半导体激光器(1.3μm和1.55μm)的研究，这正是光纤通信的最佳窗口，为中国光纤通信的发展做出了重要技术储备。他还研究了半导体光放大器、光电探测器、光电子集成回路(OEIC)等前沿方向，推动了III-V族化合物半导体在中国的发展。高鼎三从事高等教育60余年，培养了大批半导体光电子人才，他的学生遍布全国高校和科研院所，许多人成为中国光电子领域的学术带头人。他编译了《半导体激光器》等教材和专著，建立了中国半导体光电子学的教学体系。他性格耿直、治学严谨，80多岁仍坚持到实验室指导研究生，被吉林大学师生尊称为"高先生"。