人物简介
邹世昌，中国科学院院士，材料学家。1931年生于江苏太仓，1952年毕业于交通大学化工系，1955年获中科院冶金陶瓷研究所硕士学位。长期从事半导体材料、离子注入研究，曾任中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员。是中国离子注入技术开拓者，1991年当选中国科学院院士。
主要成就
研制中国第一台离子注入机；开拓中国离子注入半导体掺杂技术；突破SOI(绝缘体上硅)材料关键制备技术；建设中国第一条SOI中试线；参与建设上海第一条8英寸IC生产线
详细介绍
人物简介
邹世昌，1931年7月17日生，江苏太仓人，中国科学院院士、中国工程院院士，半导体材料专家，中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员。邹世昌是中国离子注入技术的奠基人，为中国集成电路工业的发展做出了重要贡献。
早年求学
邹世昌1949年考入交通大学化学系，1953年毕业后赴苏联莫斯科有色金属学院深造。1955年回国后到中国科学院上海冶金研究所工作。
学术成就
1. 1965年成功研制出中国第一块集成电路； 2. 推动了中国离子注入技术的发展； 3. 系统研究了半导体材料的离子注入改性； 4. 为中国集成电路工业的建立做出了奠基性贡献。
荣誉表彰
- 1991年当选中国科学院院士 - 1996年当选中国工程院院士 - 国家科学技术进步奖二等奖
基本信息
所属机构
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
职务
研究员
学历背景
交通大学化学系毕业
性别
男
出生日期
1931年7月17日
国籍
中国
研究领域
半导体材料、离子注入技术、集成电路工艺
学科数据洞察
1684+
同领域专家
46+
女性学者
88岁
领域平均年龄
794+
获奖人数
*以上数据由科技人编辑部基于公开数据库统计，旨在为研究者提供学科视角的参考信息。
荣誉称号
中国工程院院士(1991年当选)中国电子学会会士中国材料研究学会会士国家科技进步奖中国科学院科技进步奖何梁何利基金科学与技术进步奖上海市科技功臣1991年当选中国科学院院士
知识图谱
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