人物简介
王占国，中国科学院院士，半导体材料物理学家。1938年生于河南镇平，1964年毕业于北京大学物理系。长期从事半导体材料、低维半导体、光电子材料研究，曾任中国科学院半导体研究所研究员。在GaAs、InP等III-V族半导体材料研究领域做出重要贡献。1995年当选中国科学院院士。
主要成就
建立中国半导体深能级物理实验室；系统研究硅和GaAs中深能级缺陷；识别EL2、DX中心等关键深能级；实现In(Ga)As/GaAs自组织量子点可控生长；推动半导体低维结构研究和量子点器件开发
详细介绍
人物简介
王占国，1938年11月1日生，河南郑州人，中国科学院院士，半导体材料专家，中国科学院半导体研究所研究员。王占国在低维半导体材料和量子阱等领域做出了重要贡献。
早年求学
王占国1956年考入北京大学物理系，1960年毕业后到中国科学院半导体研究所工作。1982年赴加拿大做访问学者。
学术成就
1. 系统研究了III-V族半导体材料的外延生长； 2. 推动了中国低维半导体材料研究的发展； 3. 开发了多种半导体激光器材料； 4. 培养了大批半导体材料人才。
荣誉表彰
- 1995年当选中国科学院院士 - 国家自然科学奖三等奖 - 2013年获何梁何利基金科学与技术进步奖
基本信息
所属机构
中国科学院半导体研究所
职务
研究员
学历背景
北京大学物理系毕业
性别
男
出生日期
1938年11月1日
国籍
中国
研究领域
半导体物理、半导体材料、低维半导体材料
学科数据洞察
1684+
同领域专家
49+
女性学者
88岁
领域平均年龄
794+
获奖人数
*以上数据由科技人编辑部基于公开数据库统计，旨在为研究者提供学科视角的参考信息。
荣誉称号
中国科学院院士(1995年当选)中国电子学会会士国家自然科学奖中国科学院自然科学奖何梁何利基金科学与技术进步奖全国优秀科技工作者第三世界科学院物理奖1995年当选中国科学院院士
获奖记录
知识图谱
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