人物简介
张荣，1964年生，江苏启东人，物理学家，中国科学院院士。1986年毕业于南京大学物理系，1993年获南京大学博士学位。现任南京大学副校长。张荣主要从事凝聚态物理研究，在半导体物理、低维材料等领域取得重要成果。
主要成就
发展GaN外延层缺陷控制和缓冲层技术；建立氮化物MOCVD生长表面反应模型；研制中国早期GaN蓝光LED原型器件；推动硅衬底GaN外延生长；领导国家第三代半导体产学研联盟
详细介绍
人物简介
张荣，1964年3月15日生，江苏淮安人，中国科学院院士，宽禁带半导体专家，南京大学教授。张荣在氮化物半导体和半导体光电子器件研究领域做出了重要贡献。
早年求学
张荣1981年考入南京大学物理系，1985年获学士后继续攻读硕士和博士学位。
学术成就
1. 系统研究了氮化镓等宽禁带半导体的外延生长和器件； 2. 推动了氮化物半导体在光电子和功率电子领域的发展； 3. 培养了大批半导体人才。
荣誉表彰
- 2007年当选中国科学院院士 - 国家自然科学奖二等奖 - 何梁何利基金科学与技术进步奖
基本信息
所属机构
南京大学
职务
教授
学历背景
南京大学物理系学士、硕士、博士
性别
男
出生日期
1964年3月15日
国籍
中国
研究领域
宽禁带半导体、氮化物半导体、半导体光电子
学科数据洞察
1684+
同领域专家
49+
女性学者
88岁
领域平均年龄
794+
获奖人数
*以上数据由科技人编辑部基于公开数据库统计，旨在为研究者提供学科视角的参考信息。
荣誉称号
中国科学院院士(2023年当选)IEEE Fellow中国电子学会会士国家技术发明奖二等奖教育部自然科学奖一等奖江苏省科技进步奖一等奖国家杰出青年科学基金获得者2023年当选中国科学院院士
获奖记录
知识图谱
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