人物简介
舛冈富士雄是日本著名半导体科学家，闪存（Flash Memory）的发明者，为半导体存储技术发展做出了革命性贡献。
主要成就
发明NOR型和NAND型Flash存储器，彻底改变了数字存储产业
详细介绍
舛冈富士雄1971年加入东芝公司，在半导体存储器领域取得了突破性成就。1980年代初，他发明了NOR型和NAND型快闪存储器（Flash Memory），这种非易失性存储器可以在断电后保持数据，并且可以快速擦写，成为后来U盘、固态硬盘（SSD）、智能手机存储等众多产品的核心技术基础。1994年他转任东北大学教授，继续在半导体领域从事研究和教学工作。
基本信息
所属机构
东北大学（原东芝）
职务
名誉教授
学历背景
博士
出生日期
1943年
国籍
日本
研究领域
半导体存储
学科数据洞察
108+
同领域专家
82岁
领域平均年龄
4+
获奖人数
*以上数据由科技人编辑部基于公开数据库统计，旨在为研究者提供学科视角的参考信息。
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