赫伯特·克罗默1928年生于德国魏玛，1952年格丁根大学物理学博士，早期在德国和美国RCA、瓦里安研究半导体，1957年他在RCA实验室提出关键概念：使用两种不同带隙半导体构成的异质结可以极大提高晶体管和激光器性能——异质结双极晶体管(HBT)概念：宽带隙发射极极大提高发射效率，这是手机射频功放、卫星通信高速电路的核心器件。1963年他在瓦里安公司提出双异质结(DH)结构激光器：有源层夹在两个宽带隙层之间，将载流子和光子同时限制在窄带隙区大幅降低阈值电流，这是所有实用半导体激光器（光纤通信激光器、CD/DVD/蓝光激光头、激光打印机）的标准结构。克罗默的专利和论文长期被忽视，1970年代阿尔费罗夫在苏联独立做出类似器件并实现室温连续激光后，异质结技术价值被认识。1976年克罗默到UCSB开创化合物半导体研究，培养大量学生。2000年他与阿尔费罗夫、基尔比共享诺贝尔物理学奖。克罗默有句名言：任何足够先进的技术与真空无异(Any sufficiently advanced technology is indistinguishable from vacuum)。