【人物生平】 黄昆1919年9月2日出生于北京市。1937年考入燕京大学物理系，1941年毕业获学士学位。1942年在西南联合大学物理系任教，1945年赴英国布里斯托尔大学留学，师从著名物理学家莫特教授，1948年获博士学位后在英国利物浦大学从事博士后研究。1951年回国，历任北京大学物理系教授、中国科学院半导体研究所所长等职。1955年当选中国科学院学部委员（院士）。2005年7月6日在北京逝世，享年86岁。 【科研成就】 1.黄昆方程：1950年，黄昆与里斯合著出版了《晶格动力学理论》一书，系统阐述了晶格振动理论，并提出了描述晶格振动与电磁波耦合作用的黄昆方程。这一方程奠定了固体物理学的理论基础，成为半导体光学和声学研究的核心理论。 2.黄昆散射理论：提出了黄昆散射理论，解释了光在晶体中的散射现象，特别是拉曼散射和布里渊散射。这一理论为半导体光学研究提供了重要的理论依据，推动了半导体激光器、探测器等光电器件的发展。 3.半导体物理学：作为中国半导体科学的奠基人之一，黄昆建立了我国半导体科学研究体系，推动了我国半导体工业的发展。他主持建立了中国科学院半导体研究所，培养了大批半导体科技人才，为我国电子信息产业的发展奠定了坚实基础。 4.物理学教育：黄昆长期在北京大学物理系任教，主讲固体物理学、量子力学等课程，培养了大批优秀物理人才，包括多位院士和著名物理学家。他的教学注重理论联系实际，深受学生爱戴。 【学术成果】 黄昆出版了《晶格动力学理论》《固体物理学》等多部专著，发表学术论文50余篇。他的研究成果获得了国家自然科学奖一等奖、第三世界科学院物理奖等重要奖项。他是我国物理学界的杰出代表，在固体物理和半导体物理领域作出了开创性贡献。 【荣誉表彰】 1955年当选中国科学院学部委员（院士）； 1980年当选中国科学院院士； 1987年获第三世界科学院物理奖； 1995年获何梁何利基金科学与技术成就奖； 2001年获国家最高科学技术奖； 获国家自然科学奖一等奖。