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威廉·肖克利
威廉·肖克利 William Bradford Shockley
晶体管共同发明者、晶体管之父
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对比

人物简介

美国物理学家,1947年与巴丁、布拉顿共同发明晶体管获1956年诺贝尔物理学奖,被誉为晶体管之父。晶体管是20世纪最伟大发明之一,开创半导体和微电子工业,硅谷就是因他1956年创办肖克利半导体实验室而兴起。

主要成就

发明结型晶体管;领导发明点接触晶体管;获1956年诺贝尔物理学奖;创办肖克利半导体催生硅谷

详细介绍

威廉·肖克利1910年生于伦敦,父母是美国人,1936年获MIT博士学位加入贝尔实验室。1945年贝尔实验室成立固体物理小组由肖克利领导,目标研制半导体放大器替代真空管。1947年12月约翰·巴丁和沃尔特·布拉顿在肖克利指导下发明点接触晶体管,但肖克利认为点接触结构不稳定,随后发明更实用的结型晶体管(双极型晶体管BJT),成为现代半导体工业基础。1956年三人共享诺贝尔物理学奖。1956年肖克利离开贝尔实验室在加州山景城创办肖克利半导体实验室,这是硅谷第一家半导体公司,他招来的八位天才工程师(诺伊斯、摩尔等)后来离开创办仙童半导体和英特尔,直接催生整个硅谷半导体产业。肖克利晚年因支持优生学争议而身败名裂,但他发明的晶体管彻底改变了人类文明。

基本信息

所属机构
贝尔实验室、肖克利半导体
职务
研究员、创始人
学历背景
麻省理工学院博士
出生日期
1910年
国籍
美国
研究领域
半导体器件、晶体管

荣誉称号

1956年诺贝尔物理学奖美国国家科学院院士IEEE荣誉奖章(1980)美国国家发明家名人堂

知识图谱

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