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罗远祉
罗远祉 Yuen-Tse Lo (Y.T. Lo)
微带天线理论奠基人、 cavity模型发明者
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对比

人物简介

华裔美国天线理论大师,UIUC教授,1970年代提出微带天线腔模理论(Cavity Model),第一个建立微带贴片天线物理模型和分析方法,奠定微带天线理论基础,是微带天线先驱。

主要成就

提出微带天线腔模理论;奠定微带天线工程设计基础;推动微带天线广泛应用;培养大量天线人才

详细介绍

罗远祉1921年生于河南,西南联大电机系毕业1948年赴美,1952年UIUC博士,在伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校任教40多年。1970年代初Howell和Munson刚发明微带天线(贴片天线)但只有实验结果没有理论分析,工程师不知道它怎么工作怎么设计。罗远祉1979年提出腔模理论(Cavity Model):把微带贴片和接地板之间区域看作上下电壁四周磁壁的谐振腔,完美解释微带天线谐振、辐射方向图、输入阻抗,而且计算简单快,工程师可以用它设计微带天线。腔模理论是微带天线第一个实用工程模型,微带天线今天在手机、WiFi、GPS、蓝牙、相控阵到处使用,罗远祉的理论让微带天线从实验变成可设计的工程部件。他是IEEE天线学会主席,美国国家工程院院士,是华人天线界一代宗师,培养了大批天线人才。

基本信息

所属机构
伊利诺伊大学香槟分校
职务
教授
学历背景
西南联大、UIUC博士
出生日期
1921年
国籍
美国(华裔)
研究领域
微带天线、天线理论、电磁场

荣誉称号

美国国家工程院院士IEEE天线与传播学会杰出成就奖IEEE FellowUIUC杰出教授

知识图谱

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