人物简介
奥匈裔美国物理学家，1925-28年最早提出MOS场效应管结构并申请专利，比贝尔实验室发明点接触晶体管早20年，是MOSFET真正思想先驱。
主要成就
1925年最早提出场效应管MOSFET专利;发明电解电容器;MOSFET思想先驱
详细介绍
利林菲尔德1882年生于奥匈帝国今波兰，莱比锡博士1921移民美国，1925年加拿大申请专利提出通过电场控制半导体导电性放大信号，就是MOSFET原理1926/1928年美国专利详细描述结构材料，因为当时没有超纯半导体材料无法实现直到1959年贝尔实验室阿塔拉和江大元才做出第一个MOSFET，专利在1960年代被广泛引用。利林菲尔德还发明电解电容器，1963去世。美国物理学会设利林菲尔德奖纪念他。
基本信息
所属机构
美国
职务
发明家
学历背景
莱比锡大学博士
出生日期
1882年
国籍
奥匈/美国
研究领域
场效应晶体管、半导体器件
学科数据洞察
503+
同领域专家
6+
女性学者
106岁
领域平均年龄
209+
获奖人数
同领域专家
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