人物简介
埃及裔美国工程师，1959和姜大元在贝尔实验室做出第一只MOS场效应管，发明硅热氧化钝化是CMOS工艺基础，创办Atalla公司做银行加密芯片。
主要成就
和姜大元发明第一只MOSFET;硅热氧化层表面钝化;MOS工艺基础;银行安全芯片先驱
详细介绍
阿塔拉1924年埃及塞得港开罗本科普渡博士1949贝尔实验室，当时肖克利结型晶体管漏电流大表面态不稳定，阿塔拉研究硅热氧化SiO2层完美钝化硅表面把表面态降低几个数量级，1959和韩裔姜大元做出第一只MOSFET！MOS是所有现代数字芯片基础，后来做半导体器件1972创Atalla公司做银行PIN安全芯片银行卡安全芯片源于他。
基本信息
所属机构
贝尔实验室、惠普
职务
研究员
学历背景
普渡博士
出生日期
1924年
国籍
埃及/美国
研究领域
MOS半导体、表面钝化、PIN安全芯片
学科数据洞察
503+
同领域专家
6+
女性学者
106岁
领域平均年龄
209+
获奖人数
同领域专家
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