求索之路

常凯1964年8月出生于安徽潜山。1984年，20岁的他从阜阳师范学院（今阜阳师范大学）物理系毕业，随后考入北京师范大学物理学系攻读研究生，师从马本堃先生，先后于1987年、1996年获理学硕士和博士学位。他博士期间专攻凝聚态物理，为日后深耕半导体理论物理打下扎实根基。

半导体所岁月

1996年至1998年，常凯在中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室做博士后；1998年至2001年赴比利时安特卫普大学物理系合作研究。2001年，他入选中科院人才计划，任中科院半导体所超晶格国家重点实验室研究员，从此扎根这个中国半导体物理的重镇。2024年1月，他又加盟浙江大学物理学院，任讲席教授、博士生导师。

极性界面理论

常凯立足国内，在半导体物理这个国际竞争最激烈的领域默默耕耘。他提出利用半导体极性界面调控半导体量子结构能隙的理论，发现极性界面处存在极强的局域电场、可显著改变能带结构并实现拓扑相变，突破了拓扑材料必须是含重元素窄能隙体系的传统认识；他提出的非线性Rashba模型被实验证实，纠正了国际长期广泛使用的线性模型在宽动量范围内的偏差。这些国际领先的原创成果，打开了人工设计半导体物性与光电性能的新途径。

原创成果

常凯建立包括电子和空穴在内的多带多体有效质量理论，预言窄能隙半导体量子阱中的本征自旋霍尔效应并被实验验证；他在InAs/GaSb半导体量子阱中预言激子绝缘体基态能隙及光吸收谱特有的双峰结构，为激子绝缘相的存在提供了确凿证据。他的工作揭示了半导体量子结构中丰富的物理内涵，为半导体拓扑光电器件的应用提供物理基础。他注重理论与实验合作，发表包括《自然》子刊和PRL在内的SCI论文190余篇。

荣誉与担当

常凯2004年获国家自然科学二等奖（排名第三），2005年获国家杰出青年科学基金，2013年获中国物理学会黄昆固体物理和半导体物理奖、入选国家百千万人才工程并被授予"国家有突出贡献的中青年专家"称号；2019年当选中国科学院院士。现任国际纯粹与应用物理学联合会（IUPAP）半导体物理C8委员会委员、黄昆固体物理和半导体物理奖评选委员会主任、第十四届全国政协常委、民盟中央科技委员会主任。