人物生平

1920年10月10日，洪朝生生于北京，籍贯福建闽侯，父亲洪光昆早年留学比利时、法国研究道路工程，曾任陇海铁路西宝段工程局长兼总工程师。1940年毕业于清华大学（西南联大）电机工程系，1941年任西南联大电机系助教。1945年赴美国麻省理工学院深造，1948年获物理学博士学位，后在普渡大学从事半导体低温性能研究。1950年赴荷兰莱顿大学卡末林昂纳斯实验室，从事超流氦实验。1951年11月回国，任中国科学院应用物理所副研究员、研究员、低温物理室主任，兼清华大学、北京大学、中国科学技术大学教授。 1953年洪朝生在国内创建第一个低温物理实验室，1956年在国内首次实现氢液化，1959年首次用自制的氢预冷氦液化器产生液氦。1978年任中科院物理所副所长，1982年任中科院低温技术实验中心主任，1999年任理化技术所科技委员会名誉主任。1980年当选中国科学院学部委员（院士）。2018年8月19日在北京逝世，享年98岁。

主要成就

洪朝生是我国低温物理、低温技术和超导研究的开创者。1950年在半导体锗单晶输运现象实验中首次发现杂质能级上的导电现象，提出半导体禁带中杂质导电概念，被半导体物理界称为"洪朝生效应"，成为无序系统电子输运现象实验研究的开端，引发了莫特、安德森等国际上对无序系统电子输运机制的探索。他在超流氦HeII中与P.Winkel合作观察到临界速度的存在。

科研成就

1953年洪朝生组建国内第一个低温物理实验室，主持研制低温研究设备，先后在国内首次实现氢、氦液化，为"两弹一星"研制作出重要贡献。1958年他在国内率先组建超导研究组，开启我国超导物理研究先河。70年代他领导完成大型空间环境模拟系统KM3、KM4低温氦制冷系统研制，为卫星上天提供空间环境模拟试验条件。80年代他领导组建中科院低温技术实验中心，建立高水平的低温温度计量实验室。

学术成果

洪朝生发表多篇关于杂质导电、超流氦、低温工程的研究论文，创办中国科技大学低温物理专业并担任低温物理研究室主任，为中我国低温物理、低温技术和超导研究培养了大批优秀人才。他是国际低温工程委员会副主席，主编有低温工程相关著作。

荣誉表彰

洪朝生1980年当选中国科学院学部委员（院士），获1985年国家科技进步一等奖、1989年中国物理学会胡刚复物理奖、2000年国际低温工程理事门德尔森奖、2011年美国低温工程和低温材料大会塞缪尔·柯林斯奖（该奖首次颁给外国人）。2018年8月19日在北京逝世。