人物简介
阙端麟(1928年5月19日—2014年12月17日),生于福建福州,半导体材料专家,中国科学院学部委员,浙江大学教授,1984年至1988年任浙江大学副校长。1951年毕业于厦门大学电机系。长期从事半导体硅材料研究与教学。1991年当选中国科学院学部委员。
主要成就
研究硅烷法制备高纯硅,发展高纯多晶硅制备技术。
发明减压充氮直拉硅单晶技术,获1989年国家发明二等奖。
研制探测器级硅单晶等高品质硅材料。
在硅单晶缺陷与杂质控制方面取得系统成果。
创建浙江大学半导体材料学科与科研基地。
详细介绍
人物小传
阙端麟(1928年5月19日—2014年12月17日),生于福建福州,半导体材料专家,中国科学院学部委员,浙江大学教授,1984年至1988年任浙江大学副校长。1951年毕业于厦门大学电机系,此后长期在浙江大学从事半导体硅材料研究与教学。1991年当选中国科学院学部委员(技术科学部)。
科研成就
阙端麟长期研究半导体硅材料,采用硅烷法制备高纯硅,发明减压充氮直拉硅单晶技术,研制成功探测器级高品质硅单晶,在硅单晶缺陷与杂质控制方面取得系统成果,并创建了浙江大学半导体材料学科与科研基地。
荣誉表彰
1991年当选中国科学院学部委员(技术科学部);获1989年国家发明奖二等奖及1980年、1988年两次国家发明奖三等奖,2002年获何梁何利基金科学与技术进步奖。
基本信息
所属机构
浙江大学
职务
教授(1984—1988年任副校长)
学历背景
1951年厦门大学电机系本科毕业
性别
男
出生日期
1928年5月19日
逝世日期
2014年12月17日
国籍
中国
研究领域
半导体硅材料
学科数据洞察
1684+
同领域专家
46+
女性学者
88岁
领域平均年龄
794+
获奖人数
*以上数据由科技人编辑部基于公开数据库统计,旨在为研究者提供学科视角的参考信息。
荣誉称号
1991年当选中国科学院学部委员(技术科学部)1989年国家发明奖二等奖(减压充氮直拉硅单晶技术)并两次获国家发明奖三等奖(1980、1988年)2002年何梁何利基金科学与技术进步奖
知识图谱
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