人物小传

张恩虬，1916年10月26日出生于广东省广州市，电子学家，中国科学院院士。

父亲是中学语文教师，深谙中国古典文学，专长于书法。张恩虬自幼喜爱并通晓古汉语和诗词。

1934年考入清华大学物理系。

1938年毕业于西南联合大学，因成绩优秀被留校任教。

1939年在昆明召开的物理学会年会上，发表第一篇论文《集束功率管的负载特性》。

1940年转入重庆国民政府空军军官学校任教，讲授无线电课。

后进入重庆兵工署弹道研究所工作，写出了"迫击炮膛内弹道学"的研究工作报告，设计了炮口稳定器，支援了抗战。

1945年赴英国马拉德电子管公司学习进修。

1947年任广州岭南大学物理系副教授，讲授电磁学、无线电学和近代物理等课。

1951年至1956年先后任东北科学研究所和中国科学院机械电机研究所副研究员。

1954年参加中国科学院派到清华大学帮助建立电子管专业，培养了一批教师和数名研究生。

1956年至1978年任中国科学院电子学研究所研究员和电子物理实验室主任。

1978年至1990年任中国科学院电子学研究所副所长、研究员。

1980年当选为中国科学院学部委员（院士）。

1990年5月7日在北京逝世，享年74岁。

科研成就

张恩虬长期从事阴极电子学研究，是中国最早从事热电子发射理论和磁控管工作机理研究的学者之一。

主要成果：

（1）提出了热电子发射的"动态表面发射中心"理论，不仅解释了阴极实验中所观察到的现象，而且与最新表面分析仪器所得的数据相吻合；

（2）领导研究室研制出锑钾铯光电阴极、复合式氧化物阴极、长寿命氧化物阴极、多层压制钡镍阴极、钪酸盐浸渍阴极、镱酸盐阴极、镧式抗污染阴极等多种新型阴极材料；

（3）1954年研制成功中国第一只实验型示波管；

（4）阐明了磁控管的工作原理，解决了国际上长期存在的问题；

（5）发表论文40余篇，包括《实用热阴极的电子发射》等重要论文。

人才培养

1954年被中国科学院派到清华大学帮助建立电子管专业，培养了一批教师和数名研究生，为开创中国电子学专业的高等教育事业做出了努力。

社会任职

北京市政协第三、四、五、六届委员。

中国电子学会会士。

《电子学报》编委会委员。

中科院电子学研究所学术委员会副主任。

荣誉表彰

1978年获全国科学大会成果奖（磁控管工作原理的进一步发展和热电子发射理论论述）。

1982年获中国科学院一等奖（浸渍型钪酸盐钡钨阴极、D4018回旋管）。

1982年获中国科学院二等奖（D4032回旋管）。

1980年当选中国科学院学部委员（院士）。

人物评价

"张恩虬是中国最早从事热电子发射理论和磁控管工作机理研究的学者之一，其提出的动态表面发射中心模型达到了国际水平，为中国阴极电子学和微波器件的发展做出了重要贡献。"