人物简介
德国物理学家，肖特基二极管（金属-半导体结）发明者，半导体物理先驱。1914年发明屏栅四极管，1938年提出肖特基势垒理论解释金属半导体整流接触，发现肖特基效应（热电子发射）。
主要成就
发明屏栅四极管和五极管;提出肖特基势垒理论;发明肖特基二极管;发现肖特基热电子发射效应
详细介绍
瓦尔特·肖特基1886年生于苏黎世，1912年获柏林大学博士学位。1914年发明屏栅极四极管，在三极管栅极板极间加帘栅极减小极间电容，使电子管能在更高频率稳定放大开启短波无线电时代；1919年发明五极管；1929年提出热电子发射的理查森-肖特基方程。1938年提出金属-半导体接触整流理论——肖特基势垒，即肖特基二极管原理，肖特基二极管开关快压降低，广泛用于射频、电源、微波电路。他还提出半导体肖特基缺陷概念。
基本信息
所属机构
西门子研究实验室
职务
研究员
学历背景
柏林大学博士
出生日期
1886年
国籍
德国
研究领域
半导体物理、电子器件
学科数据洞察
503+
同领域专家
6+
女性学者
106岁
领域平均年龄
209+
获奖人数
同领域专家
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